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更新時間:2024-04-20
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廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
生產(chǎn)地址:
產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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FJ-2603G型單路α、β弱放射性測量裝置
產(chǎn)品用途
本儀器用于低水平環(huán)境樣品的放射性活度測量,可用于環(huán)境保護、食品、生物制品、飲用水及其它微弱α、β弱放射性樣品的活度測量,也可用于河流水底泥、、建材、土壤中的α、β放射性水平的監(jiān)測。可廣泛應用于環(huán)境保護、核電站、地質(zhì)勘探、農(nóng)業(yè)、輻射防護、醫(yī)藥衛(wèi)生、考古等領(lǐng)域。該產(chǎn)品曾被評為部優(yōu)產(chǎn)品。
儀器特點:
FJ-2603G系列α、β弱放射性測量裝置,其探測單元是采用金硅面壘或PIPS半導體探測器,該產(chǎn)品的研制*,其各項性能指標達到*儀器標準。
執(zhí)行標準 GB/T 11682-2008。
儀器規(guī)格:
FJ-2603G系列單路α、β弱放射性測量裝置有金硅面壘單路(FJ-2603G), 主探測器PIPS單路φ20,主探測器PIPSφ30(FJ-2603GZ)三種規(guī)格。
主要技術(shù)指標:
儀器型號 | FJ-2603G | FJ-2603GX | FJ-2603GZ | ||
主探測器規(guī)格 | φ20 | φ20 | φ30 | ||
主探測器類型 | 金硅面壘型 半導體探測器 | PIPS離子注入 半導體探測器 | PIPS離子注入 半導體探測器 | ||
本底 (計數(shù)·cm-2min-1) | α | ≤0.0016 | ≤0.0016 | ≤0.0016 | |
β | ≤0.05 | ≤0.05 | ≤0.05 | ||
效率比 | α | ≥90% | ≥90% | ≥90% | |
β | ≥60% | ≥60% | ≥60% | ||
效率穩(wěn)定性 | α | ≤3% | ≤3% | ≤5% | |
β | ≤5% | ≤5% | ≤5% | ||
串道比 | α進入β道 | ≤1% | ≤1% | ≤1% | |
β進入α道 | 0 | 0 | 0 |
使用條件
供電電源: AC220V (-12%~+10%)
頻 率: 50Hz
主機功耗: 80W
尺寸和重量
儀器外形: 600mm×530mm×440mm
儀器重量: 約300kg
注:計算機為選配。
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